【SADT-024】噴射ガマンの逆ナン指令 野外浣腸悪戯 三星被曝最快 2024 年底前启动装置首台 High-NA EUV 光刻机

IT之家 8 月 16 日音信【SADT-024】噴射ガマンの逆ナン指令 野外浣腸悪戯，首尔经济日报昨日（8 月 15 日）报说念，三星将于 2024 年第 4 季度至 2025 年第 1 季度时刻，装置首台来自 ASML 的 High-NA EUV 光刻机，并预估 2025 年年中参加使用。

报说念称三星将在其华城园区内装置首台 ASML Twinscan EXE:5000 High-NA 光刻机，主要用于研发筹办，开遴选于逻辑和 DRAM 的下一代制造时间。

三星打算围绕高 High-NA EUV 时间开采一个庞杂的生态系统：除了收购高 NA EUV 光刻开采外【SADT-024】噴射ガマンの逆ナン指令 野外浣腸悪戯，三星还与日本 Lasertec 公司息争开采挑升用于 High-NA 光掩膜的检测开采。

IT之家征引 DigiTimes 报说念，三星依然购买了 Lasertec 的 High-NA EUV 掩膜检测器具 Actis A300。

三星电子半导体有计划所的 Min Cheol-ki 博士在 2024 年光刻与图案化研讨会上暗示：“与传统的 [EUV 专用器具] 比拟，使用 [High-NA EUV 专用器具] 检测半导体掩膜可将对比度提升 30% 以上”。

报说念还称三星还与光刻胶制造商 JSR 和蚀刻机制造商东京电子公司息争，准备在 2027 年之前将高纳 EUV 器具参加买卖诈欺。

三星还与新想科技（Synopsys）息争，在光掩膜上从传统的电路想象转向弧线图案。这一滑变有望提升电路压印在晶片上的精度，这对进一步完善工艺时间至关紧迫。